Your Cart

وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician

وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
غير متوفر
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
ر.س 549
ر.س 649
توفير ر.س 100
السعر بدون ضريبة : ر.س 477
  • المخزون: غير متوفر
  • الموديل: MZ-V9P1T0BW
مشاهدات: 8160

تُعد Samsung 990 PRO 1TB (رقم الموديل MZ-V9P1T0BW) وحدة تخزين عالية الأداء مصممة للاعبين، صُنّاع المحتوى، والمحترفين الذين يحتاجون إلى سرعة فائقة وموثوقية عالية. تعتمد الوحدة على واجهة PCIe 4.0 ×4 NVMe لتقديم سرعات قراءة تسلسلية تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية وأداء IOPS عالي للأحمال الثقيلة. وبفضل ذاكرة 3D TLC V-NAND المتقدمة من سامسونج وتصميم M.2 2280 المدمج، توفر 990 PRO موثوقية، استجابة منخفضة، وأداء ثابت لمهام الألعاب، الإنتاجية، وإنشاء المحتوى.


المميزات الرئيسية:


• السعة: 1 تيرابايت
• الواجهة: PCIe 4.0 ×4 – NVMe
• الشكل: M.2 2280
• سرعة القراءة التسلسلية: حتى 7,450 ميجابايت/ثانية
• سرعة الكتابة التسلسلية: حتى 6,900 ميجابايت/ثانية (تقريبية)
• ذاكرة 3D TLC V-NAND المتقدمة للموثوقية والتحمل
• أداء مثالي للألعاب، إنشاء المحتوى، وتعدد المهام الاحترافي
• دعم برنامج Samsung Magician

المواصفات التقنية الكاملة:


التصميم والواجهة
رقم الموديل: MZ-V9P1T0BW
نوع وحدة التخزين: NVMe
الشكل: M.2 2280
واجهة الاتصال: PCIe 4.0 ×4

الأداء
سرعة القراءة التسلسلية: حتى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية: حتى 6,900 ميجابايت/ثانية (تقريبية)
الأداء العشوائي (IOPS): مرتفع ومهيأ للألعاب والمهام الاحترافية

الذاكرة والمتحكم
المتحكم: متحكم سامسونج Elpis عالي الأداء
نوع الذاكرة: Samsung 3D TLC V-NAND

السعة والتحمل
السعة الإجمالية: 1 تيرابايت
التحمل (TBW): تحمّل عالٍ مناسب للاستخدام طويل الأمد

الطاقة والحرارة
استهلاك الطاقة: محسّن لتحقيق توازن بين الأداء والكفاءة
إدارة الحرارة: تحكم حراري متقدم عبر تقنيات البرامج الثابتة من سامسونج

الميزات الإضافية
دعم SMART لمراقبة الحالة
دعم التشفير AES 256-bit
التوافق مع أنظمة Windows وLinux
دعم برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء والتحديثات

لماذا تشتري من وادي سيليكون للكمبيوتر؟


منتجات أصلية 100% مع ضمان الشركة المصنعة لمدة سنيتن
🚚
شحن سريع لجميع أنحاء المملكة
🎧
دعم فني احترافي وسريع الاستجابة
🎁
عروض حصرية للعملاء الجدد والعملاء الدائمين

كتابة تعليق

الرجاء الدخول أو التسجيل لكي تتمكن من تقييم المنتج
الكلمات الدليليلة : MZ-V9P1T0BW , وحدات التخزين