Your Cart

وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician

وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
غير متوفر
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 990 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 4.0 ×4 , سرعة القراءة حتى 7450 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
الشحن المجاني متاح لهذا المنتج
الشحن المجاني متاح لهذا المنتج
2,499
السعر بدون ضريبة : 2,173
  • المخزون: غير متوفر
  • الموديل: MZ-V9P4T0BW
مشاهدات: 3939

تُعد Samsung 990 PRO 4TB (رقم الموديل MZ-V9P4T0BW) وحدة تخزين عالية الأداء مصممة للاعبين، صُنّاع المحتوى، والمحترفين الذين يحتاجون إلى سرعة فائقة وموثوقية عالية. تعتمد على واجهة PCIe 4.0 ×4 NVMe لتقديم سرعات قراءة تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية وأداء كتابة عالٍ مع استجابة ممتازة للمهام العشوائية. وبفضل تقنية 3D TLC V-NAND المتقدمة وتصميم M.2 2280 المدمج، توفر هذه الوحدة أداءً ثابتًا ومستدامًا للأحمال الثقيلة والألعاب من الجيل التالي.


المميزات الرئيسية:


• السعة: 4 تيرابايت
• الواجهة: PCIe 4.0 ×4 – NVMe
• الشكل: M.2 2280
• سرعة القراءة التسلسلية: حتى 7,450 ميجابايت/ثانية
• سرعة الكتابة التسلسلية: حتى 6,900 ميجابايت/ثانية (تقريبية)
• ذاكرة 3D TLC V-NAND المتقدمة للموثوقية والتحمل
• أداء مثالي للألعاب، إنشاء المحتوى، وتعدد المهام الثقيلة
• دعم برنامج Samsung Magician

المواصفات التقنية الكاملة:


التصميم والواجهة
رقم الموديل: MZ-V9P4T0BW
نوع وحدة التخزين: NVMe
الشكل: M.2 2280
واجهة الاتصال: PCIe 4.0 ×4

الأداء
سرعة القراءة التسلسلية: حتى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية: حتى 6,900 ميجابايت/ثانية (تقريبية)
الأداء العشوائي (IOPS): مرتفع ومهيأ للألعاب والمهام الاحترافية

الذاكرة والمتحكم
المتحكم: متحكم سامسونج Elpis عالي الأداء
نوع الذاكرة: Samsung 3D TLC V-NAND

السعة والتحمل
السعة الإجمالية: 4 تيرابايت
التحمل (TBW): تحمّل عالٍ مناسب للاستخدام طويل الأمد

الطاقة والحرارة
استهلاك الطاقة: محسّن لتحقيق أفضل توازن بين الأداء والكفاءة
إدارة الحرارة: تحكم حراري متقدم عبر تقنيات البرامج الثابتة من سامسونج

الميزات الإضافية
دعم SMART لمراقبة الحالة
دعم التشفير AES 256-bit
التوافق مع أنظمة Windows وLinux
دعم برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء والتحديثات

لماذا تشتري من وادي سيليكون للكمبيوتر؟


منتجات أصلية 100% مع ضمان الشركة المصنعة لمدة سنيتن
🚚
شحن سريع لجميع أنحاء المملكة
🎧
دعم فني احترافي وسريع الاستجابة
🎁
عروض حصرية للعملاء الجدد والعملاء الدائمين

كتابة تعليق

الرجاء الدخول أو التسجيل لكي تتمكن من تقييم المنتج
الكلمات الدليليلة : MZ-V9P4T0BW , وحدات التخزين