Your Cart

وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician

وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
جديد
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
الشحن المجاني متاح لهذا المنتج
الشحن المجاني متاح لهذا المنتج
ر.س 2,699
السعر بدون ضريبة : ر.س 2,347
  • المخزون: متوفر
  • الموديل: MZ-VAP4T0BW
مشاهدات: 35

تُعد Samsung 9100 PRO (رقم الموديل MZ-VAP4T0BW) وحدة تخزين فائقة الأداء من الجيل الجديد، تعتمد على واجهة PCIe 5.0 NVMe لتقديم سرعات غير مسبوقة تلبي متطلبات الحواسيب الاحترافية، محطات العمل المتقدمة، الألعاب عالية المستوى، وصنّاع المحتوى. بفضل تقنيات سامسونج المتقدمة في المتحكم وذاكرة V-NAND، توفر هذه الوحدة أداءً ثابتًا، استجابة عالية، واعتمادية ممتازة مع سعة تخزين كبيرة تبلغ 4 تيرابايت ضمن تصميم M.2 مدمج.


المميزات الرئيسية:


• السعة: 4 تيرابايت
• الواجهة: PCIe 5.0 ×4 – NVMe
• الشكل: M.2 2280
• سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
• سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
• أداء فائق للمهام الثقيلة والألعاب الاحترافية
• إدارة حرارية ذكية للحفاظ على الاستقرار
• دعم برنامج Samsung Magician للتحكم والمراقبة

المواصفات التقنية الكاملة:


التصميم والواجهة
رقم الموديل: MZ-VAP4T0BW
نوع وحدة التخزين: NVMe
الشكل: M.2 2280
واجهة الاتصال: PCIe 5.0 ×4

الأداء
سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
الأداء العشوائي (IOPS): مرتفع ومهيأ للأحمال المكثفة وتعدد المهام

الذاكرة والمتحكم
نوع الذاكرة: Samsung 3D TLC V-NAND
المتحكم: متحكم سامسونج عالي الأداء مخصص للجيل الخامس PCIe

السعة والتحمل
السعة الإجمالية: 4 تيرابايت
التحمل (TBW): تصنيف عالٍ مناسب للاستخدام الاحترافي طويل الأمد

الطاقة والحرارة
استهلاك الطاقة: محسّن لفئة PCIe 5.0 عالية الأداء
إدارة الحرارة: Dynamic Thermal Guard مع حلول تبريد مدمجة

الميزات الإضافية
دعم SMART لمراقبة الحالة
دعم التشفير AES 256-bit
التوافق مع أنظمة Windows وLinux
دعم برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء والتحديثات

لماذا تشتري من وادي سيليكون للكمبيوتر؟


منتجات أصلية 100% مع ضمان الشركة المصنعة لمدة سنيتن
🚚
شحن سريع لجميع أنحاء المملكة
🎧
دعم فني احترافي وسريع الاستجابة
🎁
عروض حصرية للعملاء الجدد والعملاء الدائمين

كتابة تعليق

الرجاء الدخول أو التسجيل لكي تتمكن من تقييم المنتج
الكلمات الدليليلة : MZ-VAP4T0BW , وحدات التخزين