Your Cart

وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician

وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 1 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,700 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
ر.س 829
ر.س 899
توفير ر.س 70
السعر بدون ضريبة : ر.س 721
  • المخزون: متوفر
  • الموديل: MZ-VAP1T0BW
مشاهدات: 1855

تُعد Samsung 9100 PRO 1TB (رقم الموديل MZ-VAP1T0BW) وحدة تخزين عالية الأداء مصممة لأجهزة الحوسبة المتقدمة، إنشاء المحتوى الاحترافي، والألعاب من الجيل التالي. تعتمد على واجهة PCIe 5.0 NVMe لتقديم سرعات قراءة وكتابة فائقة، استجابة منخفضة للغاية، وتحمل ممتاز. بفضل متحكم سامسونج المتقدم وتقنية 3D TLC V-NAND، توفر هذه الوحدة أداءً ثابتًا وموثوقًا للأحمال الثقيلة والتطبيقات المكثفة، ضمن تصميم M.2 2280 مدمج.


المميزات الرئيسية:


• السعة: 1 تيرابايت
• الواجهة: PCIe 5.0 ×4 – NVMe
• الشكل: M.2 2280
• سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,700 ميجابايت/ثانية
• سرعة الكتابة التسلسلية: حتى 12,800 ميجابايت/ثانية
• ذاكرة 3D TLC V-NAND متقدمة للموثوقية والتحمل
• أداء مثالي للأحمال الاحترافية، الألعاب، وإنشاء المحتوى
• دعم برنامج Samsung Magician

المواصفات التقنية الكاملة:


التصميم والواجهة
رقم الموديل: MZ-VAP1T0BW
نوع وحدة التخزين: NVMe
الشكل: M.2 2280
واجهة الاتصال: PCIe 5.0 ×4

الأداء
سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,700 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية: حتى 12,800 ميجابايت/ثانية
الأداء العشوائي (IOPS): محسن للأحمال الاحترافية والألعاب

الذاكرة والمتحكم
المتحكم: متحكم سامسونج عالي الأداء
نوع الذاكرة: Samsung 3D TLC V-NAND

السعة والتحمل
السعة الإجمالية: 1 تيرابايت
التحمل (TBW): تحمّل قوي مناسب للاستخدام طويل الأمد

الطاقة والحرارة
استهلاك الطاقة: محسّن لفئة أداء PCIe 5.0
إدارة الحرارة: تقنية Dynamic Thermal Guard للحفاظ على استقرار الأداء

الميزات الإضافية
دعم SMART لمراقبة الحالة
دعم التشفير AES 256-bit
التوافق مع أنظمة Windows وLinux
دعم برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء والتحديثات

لماذا تشتري من وادي سيليكون للكمبيوتر؟


منتجات أصلية 100% مع ضمان الشركة المصنعة لمدة سنيتن
🚚
شحن سريع لجميع أنحاء المملكة
🎧
دعم فني احترافي وسريع الاستجابة
🎁
عروض حصرية للعملاء الجدد والعملاء الدائمين

كتابة تعليق

الرجاء الدخول أو التسجيل لكي تتمكن من تقييم المنتج
الكلمات الدليليلة : MZ-VAP1T0BW , وحدات التخزين