1,449 1,599 150 1,260
يُعد هذا القرص من سامسونج واحداً من أسرع وأحدث أقراص التخزين الداخلية من فئة NVMe، مصمم لتقديم أداء عالي مع كفاءة ممتازة في استهلاك الطاقة، وسعة تخزين ضخمة مناسبة للألعاب، تحرير الفيديو، والاستخدام الاحترافي.
المميزات الرئيسية:
سعة تخزين كبيرة تصل إلى 4 تيرابايت.
سرعة قراءة تصل حتى 7,250 ميغابايت/ثانية وكتابة حتى 6,300 ميغابايت/ثانية.
يعتمد على واجهة PCIe 4.0 x4 ويدعم أيضًا PCIe 5.0 x2، مما يمنحه توافقًا ممتازًا مع الأجيال الحديثة من اللوحات الأم.
يعتمد على ذاكرة Samsung V-NAND TLC من الجيل الثامن لتوفير أداء ثابت وعمر أطول.
يدعم خاصية Host Memory Buffer (HMB) لتعويض غياب ذاكرة DRAM المخصصة.
مزود بتحكم حراري محسّن ووحدة تحكم مطلية بالنيكل لتقليل درجة الحرارة أثناء العمل المكثف.
استهلاك طاقة منخفض وكفاءة عالية في الأداء اليومي.
يدعم أنظمة التشفير AES 256-bit ومعايير TCG Opal 2.0 و Microsoft eDrive لحماية البيانات.
متوافق مع برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء، تحديثات البرامج الثابتة، ومراقبة حالة القرص.
السعة: 4 تيرابايت
الواجهة: PCIe Gen4 x4 / PCIe Gen5 x2 (NVMe 2.0)
الشكل الفيزيائي: M.2 2280
سرعة القراءة المتسلسلة: حتى 7,250 ميغابايت/ث
سرعة الكتابة المتسلسلة: حتى 6,300 ميغابايت/ث
القراءة العشوائية (IOPS): حتى 1,050,000
الكتابة العشوائية (IOPS): حتى 1,400,000
نوع ذاكرة NAND: V-NAND TLC
التحمل (TBW): 2400 تيرابايت تقريباً
استهلاك الطاقة: القراءة ~5.5 واط / الكتابة ~4.8 واط
