Your Cart

وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician

وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
جديد
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe,  واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 , سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم Samsung Magician
الشحن المجاني متاح لهذا المنتج
الشحن المجاني متاح لهذا المنتج
ر.س 2,799
السعر بدون ضريبة : ر.س 2,434
  • المخزون: متوفر
  • الموديل: MZ-VAP4T0CW
مشاهدات: 36

تُعد Samsung 9100 PRO مع مشتت حراري (رقم الموديل MZ-VAP4T0CW) وحدة تخزين فائقة الأداء من الجيل الجديد، تعتمد على واجهة PCIe 5.0 NVMe لتقديم سرعات استثنائية تناسب محطات العمل الاحترافية، أجهزة الألعاب المتقدمة، وأعمال إنشاء المحتوى الثقيلة. يأتي هذا الإصدار مزودًا بمشتت حراري مدمج يضمن ثبات الأداء والتحكم بالحرارة حتى تحت الضغط المستمر، مع سعة تخزين كبيرة تبلغ 4 تيرابايت وتصميم M.2 2280 مدمج.


المميزات الرئيسية: 


• السعة: 4 تيرابايت
• الواجهة: PCIe 5.0 ×4 – NVMe
• الشكل: M.2 2280 مع مشتت حراري مدمج
• سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
• سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
• مشتت حراري مدمج لتحكم حراري متقدم وأداء مستقر
• أداء مثالي للألعاب الاحترافية والمهام الثقيلة
• دعم برنامج Samsung Magician للإدارة والمراقبة

المواصفات التقنية الكاملة:


التصميم والواجهة
رقم الموديل: MZ-VAP4T0CW
نوع وحدة التخزين: NVMe
الشكل: M.2 2280
المشتت الحراري: مدمج
واجهة الاتصال: PCIe 5.0 ×4

الأداء
سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
الأداء العشوائي (IOPS): مرتفع ومهيأ لتعدد المهام والأحمال المكثفة

الذاكرة والمتحكم
نوع الذاكرة: Samsung 3D TLC V-NAND
المتحكم: متحكم سامسونج عالي الأداء مخصص لواجهة PCIe 5.0

السعة والتحمل
السعة الإجمالية: 4 تيرابايت
التحمل (TBW): تصنيف تحمّل عالٍ مناسب للاستخدام الاحترافي طويل الأمد

الطاقة والحرارة
استهلاك الطاقة: محسّن لفئة الأداء العالي PCIe 5.0
إدارة الحرارة: مشتت حراري مدمج مع تقنية Dynamic Thermal Guard للحفاظ على الاستقرار

الميزات الإضافية
دعم SMART لمراقبة الحالة
دعم التشفير AES 256-bit
التوافق مع أنظمة Windows وLinux
دعم برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء والتحديثات

لماذا تشتري من وادي سيليكون للكمبيوتر؟


منتجات أصلية 100% مع ضمان الشركة المصنعة لمدة سنيتن
🚚
شحن سريع لجميع أنحاء المملكة
🎧
دعم فني احترافي وسريع الاستجابة
🎁
عروض حصرية للعملاء الجدد والعملاء الدائمين

كتابة تعليق

الرجاء الدخول أو التسجيل لكي تتمكن من تقييم المنتج
الكلمات الدليليلة : MZ-VAP4T0CW , وحدات التخزين