



وحدة تخزين فائقة السرعة من سامسونج مخصصة للمستخدمين المحترفين والأنظمة الحديثة، حيث تقدم أداءً استثنائياً بواجهة PCIe 5.0 وسرعات قراءة وكتابة عالية جداً، مما يجعلها مثالية للأعمال الثقيلة والتحرير الاحترافي.
المميزات الرئيسية:
واجهة PCIe 5.0 x4 مع بروتوكول NVMe 2.0.
سرعة قراءة تصل إلى 14700MB/s.
سرعة كتابة تصل إلى 13400MB/s.
يعتمد على ذاكرة Samsung V-NAND TLC مع وحدة تحكم سامسونج وذاكرة DRAM مدمجة.
أداء عالٍ في عمليات القراءة والكتابة العشوائية.
مناسب للمونتاج 4K و8K، ونقل الملفات الكبيرة، والألعاب الثقيلة.
سعة 2TB توفر مساحة كبيرة للبرامج والمشاريع.
تصميم M.2 2280 سهل التركيب في أغلب الأجهزة.
دعم TRIM وS.M.A.R.T والتشفير AES-256.
المواصفات التقنية:
السعة: 2TB
الواجهة: PCIe 5.0 x4
المعيار: NVMe 2.0
نوع الذاكرة: Samsung V-NAND TLC
DRAM Cache: حسب السعة (فئة 2TB تحتوي على DRAM مدمجة)
السرعة التسلسلية للقراءة: حتى 14700MB/s
السرعة التسلسلية للكتابة: حتى 13400MB/s
أداء القراءة العشوائية: حتى 2.2 مليون IOPS
أداء الكتابة العشوائية: حتى 2.6 مليون IOPS
المقاس: 80.15 × 22.15 × 2.38 مم
الوزن: حوالي 9 غرام




